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稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法 发明申请

2022-07-28 3870 310K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN200610135391.3
公开(公告)号 CN101209901A 公开(公告)日 2008-07-02
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院福建物质结构研究所
简介 稀土掺杂的含半导体量子点透明玻璃陶瓷发光材料及其制备方法,涉及发光材料领域。该玻璃陶瓷组分为(摩尔比):57.0SiO2-xB2O3-2.0Al2O3-5.0ZnO-12.0Na2O-12.0K2O-5.5CaO-yMN-zRe2O3,y=1.0-2.0,z=0-2.0,x=(6.5-y-z),其中M为Cd2+、Zn2+或它们的组合,N为S2-、Se2-或它们的组合,Re为Er3+、Eu3+、Sm3+、Tm3+、Ho3+、Tb3+等三价镧系稀土离子。采用熔体急冷法制备。该玻璃陶瓷通过在非晶氧化物基体中析出均匀分布的半导体量子点,在能量高于半导体量子点带隙的入射光激发下,实现稀土离子的发光。


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