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高稀土含量的硅铝酸盐晶体及其制备方法和应用 发明授权

2022-05-31 4000 815K 0

专利信息

申请日期 2024-11-29 申请号 CN201811252705.7
公开(公告)号 CN111101203B 公开(公告)日 2022-04-19
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院理化技术研究所; 中国科学院大学
简介 本发明公开了一类高稀土含量的硅铝酸盐晶体及其制备方法和应用,所述硅铝酸盐晶体的化学式为R5AlSi2O13,其中R为Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb、Lu中的一种;该类硅铝酸盐晶体可采用助熔剂法和提拉法生长晶体,具有大尺寸、光学均一性高等特点。本发明还公开了硅铝酸铽晶体,在633nm的Verdet系数高达‑168rad/m.T,在制作磁光隔离器时可以减小晶体的长度,便于器件的紧凑,降低成本;还公开了硅铝酸钆晶体,其理论磁热效应因子(MCE)高达81.47J kg‑1K‑1,是商用Gd3Ga5O15(GGG)的1.74倍,在作为磁制冷剂方面具有巨大潜力。


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