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藉由原子层沉积方式形成混合稀土氧化物及铝酸盐薄膜之方法 发明申请

2022-07-28 1580 8098K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 TW096110747
公开(公告)号 TW200813249A 公开(公告)日 2008-03-16
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 东京威力科创股份有限公司
简介 本发明提供一种用於沉积一闸极介电层的方法, 该闸极介电层, 包含至少2种氧化物或铝酸盐形式的稀土金属元素。该方法包含将一基板放置於一处理室并且将该基板暴露於一包含第1稀土前驱物的气体脉冲以及一包含第2稀土前驱物的气体脉冲。该基板尚可选择性地被暴露於一包含铝前驱物之气体脉冲。接连地, 在各前驱物气体脉冲之後, 将该基板暴露於一含氧气体之气体脉冲, 於另一实施例中, 该第1及第2稀土前驱物可以一起实施脉冲, 或者, 该两者之一或两者全部可以与该铝前驱物一起实施脉冲。该第1及第2稀土前驱物各包含一不同的稀土金属元素。该接连的暴露步骤可以被重复以将一混合稀土氧化物或铝酸盐薄膜沉积一所望厚度。在各气体脉冲之後, 尚可以实施冲洗排净或排空步骤。


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