| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | TW097142478 |
| 公开（公告）号 | TW200927948A | 公开（公告）日 | 2009-07-01 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日金属股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种高纯度镧, 其特徵在於 : 稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上, 镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下; 以及一种高纯度镧, 其特徵在於 : 稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上, 镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下, 并且氧含量在1500wtppm以下, 硷金属及硷土金属之各元素的含量分别在1wtppm以下, 除上述以外之过渡金属及高熔点金属之各元素的含量分别在10wtppm以下, 放射性元素的含量分别在10wtppb以下。本发明之课题, 在於提供一种可有效率且稳定地提供高纯度镧、高纯度材料镧所构成之溅镀靶、及高纯度材料镧作为主成分之金属闸用薄膜的技术。 | ||
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