| 申请日期 | 2025-04-06 | 申请号 | CN202210085938.2 |
| 公开（公告）号 | CN114380603A | 公开（公告）日 | 2022-04-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日立金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明提供一种氮化硅烧结基板的制造方法，包括：混合80质量％以上98.3质量％以下的Si3N4粉末、以氧化物换算计为0.7质量％以上10质量％以下的Mg化合物粉末和以氧化物换算计为1质量％以上10质量％以下的至少1种稀土元素的化合物粉末得到混合粉末的工序a；将混合粉末制成浆料并成型为多个生片的工序b；将多个生片隔着氮化硼粉末层叠层得到叠层组装体的工序c；和，将叠层组装体配置于烧结炉内并对叠层组装体进行烧结的工序d；在工序c中氮化硼粉末层的厚度为3μm以上20μm以下；工序d包括：在80Pa以下的真空气氛下保持900℃以上1300℃以下的气氛温度，从生片中除去碳的工序d1，和在工序d1之后在氮气氛下以1600℃以上2000℃以下的气氛温度使生片烧结的工序d2。 | ||
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