| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN200910086804.7 |
| 公开（公告）号 | CN101570434A | 公开（公告）日 | 2009-11-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 清华大学; 无锡鑫圣慧龙纳米陶瓷技术有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及应用于电子元器件的陶瓷材料技术领域，具体涉及一种X8R型贱金属内电极 多层陶瓷电容器介质材料及制备方法。本发明材料为：主成分钛酸钡，其摩尔含量为91％～94％； 添加剂包括MgO、MgCO3、(MgCO3)4·Mg(OH)2、MnCO3、MnO2、NiO、Fe2O3、Co3O4以及 玻璃相助烧剂BCG、展宽剂、R1的氧化物和R2的氧化物，其摩尔含量占材料总量的6～9％； R1和R2均为稀土族元素。利用本发明的配方和工艺，在还原气氛下烧结可以获得性能优良的 X8R型陶瓷材料，且工艺简单，烧结温度不超过1280℃。材料的室温介电常数可达2700，室 温介电损耗不超过1％，在-55～150℃温度区间内容温变化率不超过±15％，室温电阻率 ＞1012Ω·cm，在150℃时电阻率仍大于109Ω·cm，陶瓷的晶粒尺寸小于1μm。本发明提供的陶 瓷材料及其制备方法，具有良好的产业化前景。 | ||
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