| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN200610140645.0 |
| 公开（公告）号 | CN101153217B | 公开（公告）日 | 2010-04-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院半导体研究所 | ||
| 简介 | 本发明一种稀土复合离子注入制备发光材料的方法，其特征在于，其中包括如下步骤：步骤1：取一衬底；步骤2：在该衬底上注入稀土离子的复合离子；步骤3：退火，完成发光材料的制备。其核心是在离子注入进行稀土离子掺杂时利用稀土复合离子同步注入掺入其它杂质离子，无须低温、多次注入，实验重复性好，工艺简单，容易实现，适用于制备各种稀土掺杂固态发光材料。 | ||
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