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高纯度铒之制造方法、高纯度铒、由高纯度铒所构成之溅镀靶、以及以高纯度铒为主成分之金属闸膜 发明申请

2022-07-27 4450 842K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 TW099101736
公开(公告)号 TW201030155A 公开(公告)日 2010-08-16
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 日鑛金属股份有限公司;
简介 本发明之课题在於提供一种高纯度铒之制造方法,系将粗氧化铒与还原金属混合,在真空中加热以还原、蒸馏出铒,进而使其在惰性环境气氛中溶解以得到高纯度铒。并提供一种不计稀土类元素与气体成分之纯度为4N以上、含氧量为200wtppm以下之高纯度铒。并提供一种可有效率且安定地提供一种将蒸气压高、在金属熔融状态精制困难之铒予以高纯度化之方法以及由该方法所得到之高纯度铒、由高纯度材料铒所构成之溅镀靶、以及以高纯度材料铒做为主成分之金属闸极用薄膜。


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