| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201010153529.9 |
| 公开（公告）号 | CN101805611A | 公开（公告）日 | 2010-08-18 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 陈连平 | ||
| 简介 | 本发明公开了白钨矿发光材料的一种掺杂方法，属于材料的制备技术领域。其特征在于：通过后处理，在发光基质表面层内制造A位空位-稀土离子再补位，从而合成出具有发光壳/核结构的材料，通过改变处理液的种类、浓度及处理时间，可以控制Re3+ : AMO4(A＝Mg，Ca，Sr，Ba，Pb；M＝W，Mo；Re＝rare earth)中稀土的种类及含量。本发明在室温环境下进行，无须热处理，合成的材料具有稀土发光壳-基质核结构，发光性能优良。因此，相对于现有的掺杂技术，本发明公开的掺杂技术具有零能耗、节省稀土原料、操作简便等突出优点。 | ||
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