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一种稀土掺杂的介孔氧化硅发光材料的制备方法 发明申请

2022-07-27 2540 575K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN201010216268.0
公开(公告)号 CN101864308A 公开(公告)日 2010-10-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 北京交通大学
简介 一种稀土掺杂的介孔氧化硅发光材料的制备方法,涉及一种光电子材料的制备方法。该方法的步骤:准备材料正硅酸乙酯、浓度为0.055mol/L的十六烷基三甲基溴化铵的水溶液、浓度为25wt.%的氨水、去离子水、稀土乙酸盐;按正硅酸乙酯∶十六烷基三甲基溴化铵∶氨的摩尔比为1∶0.132∶2.8取料,取正硅酸乙酯∶稀土离子的摩尔比为50~100的稀土乙酸盐;把十六烷基三甲基溴化铵的水溶液移入四口容器中,依次加入乙酸盐、氨水、正硅酸乙酯,常温水浴搅拌1~2小时后真空抽滤,并洗涤至pH为中性;在80℃~90℃下进行真空干燥12~24小时后研磨;以1℃/min的升温速率加热到450℃~550℃并保温3~5小时后再冷却、研磨得到样品。提供一种稀土掺杂的介孔氧化硅发光材料,拓展介孔材料的应用。


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