| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN200880123161.2 |
| 公开（公告）号 | CN101910431A | 公开（公告）日 | 2010-12-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 日矿金属株式会社 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，镧中的铝、铁和铜各自为100重量ppm以下；以及一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上，镧中的铝、铁和铜各自为100重量ppm以下，并且氧含量为1500重量ppm以下，碱金属和碱土金属的各元素各自为1重量ppm以下，上述以外的过渡金属和高熔点金属的各元素各自为10重量ppm以下，放射性元素各自为10重量ppb以下。本发明的目的在于提供能够有效且稳定地提供高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶以及以高纯度材料镧为主成分的金属栅用薄膜的技术。 | ||
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