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掺杂ⅡA族稀土氧化物发光材料及其熔体法生长方法 发明申请

2022-07-27 3760 397K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN201010588504.1
公开(公告)号 CN102127437A 公开(公告)日 2011-07-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中国科学院安徽光学精密机械研究所
简介 本发明公开了稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物及其熔体法晶体生长方法,化化合物的分子式表示为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7(D和D′代表稀土Ce、Pr、Nd、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb和Bi、Ti、Cr元素,A代表IIA族元素Mg、Ca、Sr、Ba,RE、RE′代表稀土元素Sc、Y、La、Gd、Lu,RE≠RE′,0≤x≤0.5,0≤y≤0.5,0≤z≤0.5,且x+y+z<1)。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后,成为晶体生长的起始原料;生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后,成为熔体法生长的初始熔体,然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长;(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。


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