| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN202111640464.5 |
| 公开（公告）号 | CN114525584A | 公开（公告）日 | 2022-05-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西南技术物理研究所 | ||
| 简介 | 本发明属于激光材料领域，公开了一种用于红外激光领域的Ho : BaYF5激光晶体生长方法，首先将YF3和BaF2按照摩尔量称量，并与掺杂的稀土氟化物混合均匀，接着，将混合料进行高温烘料，将生长料装满坩埚，让其自发结晶，从而得到籽晶；最后，基于得到的籽晶进行种晶工作。本发明在激光通讯、信号传输、医疗和军事领域中可发挥重要作用；Yb3+离子因其可将980nm激光源吸收并传递给Ho3+离子而作为敏化离子，且可显著增强Ho3+离子对应2.0μm激光输出，最终采用坩埚下降法生长出了Yb，Ho : BaYF5激光晶体并进行相关性能表征。 | ||
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