| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN201010109835.2 |
| 公开（公告）号 | CN101870472B | 公开（公告）日 | 2012-01-11 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 厦门大学 | ||
| 简介 | 一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法，涉及一种半导体材料工业硅。提供一种采用稀土氧化物去除工业硅中硼磷杂质的方法。将工业硅原料和造渣剂放进石墨坩埚；抽真空，启动中频感应电源加热，使石墨坩埚中的硅料和渣料熔化；待石墨坩埚内物料全部熔化后，将坩埚上方的石墨通气棒预热；向体系中开始通入惰性气体，待预热充分后将通气棒开始通气搅拌；渣过程中，通过调整中频功率，使反应温度为1550～1850℃；待造渣充分后将通气棒升离坩埚，然后通过翻转浇铸将硅液倒入石墨模具中，静置，冷却后取出硅锭，去除头尾杂质富集部分，得到提纯后的多晶硅锭，测量熔炼后的硼、磷杂质含量。 | ||
|
您还没有登录，请登录后查看下载地址
|
客服热线：
手机版
二维码
