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用於腔室盖与喷嘴上之稀土氧化物系涂层的离子辅助沉积 发明授权

2022-06-04 4760 2387K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 TW103124797
公开(公告)号 TWI656572B 公开(公告)日 2019-04-11
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 应用材料股份有限公司
简介 一种制造制品的方法,包括提供用于蚀刻反应器的盖子或喷嘴。 然后进行离子辅助沉积(IAD)以在盖子或喷嘴的至少一个表面上沉积保护层, 其中所述保护层是具有小于300m的厚度和10微英寸或更小的平均表面粗糙度的耐等离子体稀土氧化物膜。


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