| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN202210124421.X |
| 公开（公告）号 | CN114420437A | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 桂林电子科技大学 | ||
| 简介 | 本发明提供了一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法，属于材料技术领域。本发明提供一种利用Dy制备的钕铁硼永磁材料及其制备方法，其中，本发明中Dy在钕铁硼晶界扩散合成性能更优异的永磁材料。钕铁硼再生磁体表面涂覆一层Dy元素粉末，在真空烧结炉内进行烧结，使Dy元素在Nd2Fe14B相晶界上扩散合成具有重稀土包裹Nd2Fe14B相的核‑壳结构的永磁体材料，可以显著提高钕铁硼再生磁体的矫顽力、磁能积、居里温度等优点。 | ||
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