| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201110003278.0 |
| 公开（公告）号 | CN102071463B | 公开（公告）日 | 2012-10-31 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了RE掺杂(RE＝Pr、Sm、Eu、Tb、Dy、Er、Ho、Tm、Yb、Cr、Ti、Bi)的LnGaGe2O7(Ln＝La、Gd)发光材料，以及它们的熔体法晶体生长方法，其掺杂原子百分比浓度为0.01～50％。按比例配制好的原料经充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；本发明的发光材料可用于显示、照明及激固体激光技术等领域。 | ||
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