| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN202110472240.1 |
| 公开（公告）号 | CN113388757B | 公开（公告）日 | 2022-04-29 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 福建省长汀卓尔科技股份有限公司; 厦门钨业股份有限公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及永磁材料技术领域，特别涉及一种钐钴稀土磁体及其制备方法，其中，所述钐钴稀土磁体制备方法中的熔炼过程包括第一熔炼阶段、第二熔炼阶段和第三熔炼阶段，所述第一熔炼阶段的真空度为10kPa～15kPa，熔炼温度从常温升温至T1，所述T1为1050℃～1100℃；所述第二熔炼阶段的真空度为40kPa～50kPa，熔炼温度从T2升温至T3，所述T2为1050℃～1100℃, 所述T3为1250℃～1350℃；所述第三熔炼阶段的真空度为70kPa～90kPa，熔炼温度从T4升温至T5，所述T4为1250℃～1350℃，所述T5为1500℃～1600℃。本发明通过采用分段加压的熔炼方式以减小熔炼过程中钐的挥发量，从而得到高性能的钐钴磁体。 | ||
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