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基于双轴织构金属基带的新型复合隔离层及制备方法 发明申请

2022-07-19 2230 914K 0

专利信息

申请日期 2024-11-27 申请号 CN201210242021.5
公开(公告)号 CN102774074A 公开(公告)日 2012-11-14
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海超导科技股份有限公司
简介 一种基于双轴织构金属基带的新型复合隔离层及制备方法,采用三层结构,上层为锆酸镧(La2Zr2O7)隔离层,中间层为钇稳定氧化锆(YSZ)隔离层,下层为氧化铈(CeO2)隔离层。本发明用锆酸镧(La2Zr2O7)代替传统CeO2/YSZ/CeO2和CeO2/YSZ/Y2O3三层复合隔离层结构中的CeO2帽子层,并采用射频磁控溅射镀膜技术制备高质量的La2Zr2O7隔离层。该方法具有高的稳定性,重复可靠性及高的沉积速率,其制备得到的La2Zr2O7隔离层致密均匀,与YSZ隔离层结合力强。本发明基于金属基带的La2Zr2O7/YSZ/CeO2复合隔离层具有单一的(00/)取向,高的面内和面外织构,表面光洁度好,适合于在其上外延生长高性能的稀土氧化物超导层。


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