| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN201010512595.0 |
| 公开（公告）号 | CN102021652B | 公开（公告）日 | 2012-11-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 中国科学院安徽光学精密机械研究所 | ||
| 简介 | 本发明公开了稀土或Bi、Cr、Ti掺杂的IIA族稀土氧化物发光材料及其熔体法晶体生长方法，按比例将配制好的原料充分混合、压制成形、高温烧结后，成为晶体生长的起始原料；生长起始原料放入坩埚经加热充分熔化后，成为熔体法生长的初始熔体，然后可用熔体法如提拉法、坩埚下降法、温梯法及其它熔体法来进行生长；获得的分子式为(D2xD′2y)ARE2(1-x-y-z)RE′2zO4、(D4xD′4y)A3RE4(1-x-y-z)RE′4zO9、(D2xD′2y)A4RE2(1-x-y-z)RE′2zO7的发光材料，本发光材料有高的阻止本领、高的发光效率和快衰减，可用作激光工作物质和高能射线、高能粒子等的探测材料。 | ||
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