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金属离子掺杂的纳米硅基发光材料及其制备方法 发明授权

2022-07-19 3730 741K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN201010107423.5
公开(公告)号 CN101781559B 公开(公告)日 2013-01-23
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 西北大学
简介 本发明公开了一种金属离子掺杂的纳米硅基发光材料,制得的该发光材料由下列原料的摩尔比构成:正硅酸乙酯∶硼酸∶可溶性金属盐∶稀土可溶性盐为1∶0.15~0.3∶0.001~0.006∶0.002~0.006。上述发光材料的制备方法是:将正硅酸乙酯溶于无水乙醇中并加入硼酸和去离子水;加入可溶性金属盐,再加入一定量的可溶性稀土盐,搅拌陈化得溶胶;将溶胶干燥研磨、退火得发光粉末;用玻璃或硅片作基底将溶胶制膜,干燥退火得发光薄膜。本发明原料易得,制备条件温和、工艺设备简单;可制得红、绿色发光材料,制备的发光薄膜表面均匀、致密无开裂、厚度可控;发光粉末粒径均匀,是一种以SiO2为基础、发光效率大幅度提高的纳米复合发光材料的制备技术。


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