| 申请日期 | 2024-11-27 | 申请号 | TW101132970 |
| 公开（公告）号 | TW201315820A | 公开（公告）日 | 2013-04-16 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | JX日鑛日石金属股份有限公司; | ||
| 简介 | 一种高纯度镧，不计稀土元素及气体成分之纯度在5N以上，α射线计数在0.001cph／cm 2 以下。一种高纯度镧之制造方法，於浴温450~700℃对不计气体成分之纯度在4N以下的粗镧金属原料进行熔盐电解，而得到镧结晶，接着在对该镧结晶进行除盐处理後，进行电子束熔解将挥发性物质去除，使不计稀土元素及气体成分的纯度在5N以上，α射线计数在0.001cph／cm 2 以下。课题在於提供一种如下之技术：可有效率且稳定地提供一种低α射线之高纯度镧、由高纯度材料镧构成之溅镀靶、及以高纯度材料镧为主成分之金属闸极用薄膜。 | ||
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