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一种笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土离子发光材料 发明申请

2022-07-19 1090 435K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN201310010908.6
公开(公告)号 CN103044481A 公开(公告)日 2013-04-17
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 河北工业大学
简介 本发明为一种笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土离子发光材料。该材料以八乙烯基笼型低聚倍半硅氧烷(VPOSS)为基体,在VPOSS多面体顶点的Si原子连接的双键上嫁接三联吡啶衍生物(TpySH),制成新型笼型低聚倍半硅氧烷(VPOSS-8TpySH)。一方面它能够和稀土离子配位形成金属配合物,另一方面它能够吸收能量并能将其所吸收的能量传递给稀土离子。本发明所得稀土化合物/低聚倍半硅氧烷材料发光色彩丰富,色纯度高,荧光寿命长(0.58ms),量子效率高(19.8),热稳定性好(400℃)和光稳定性强,是一种很有价值的光学材料,可以应用在显示显像、新光源、X射线增光屏等领域。


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