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一维氟化物核壳结构发光材料及其制备方法 发明申请

2022-07-19 2010 1498K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN201310012972.8
公开(公告)号 CN103102883A 公开(公告)日 2013-05-15
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 长春理工大学
简介 本发明涉及一种一维稀土氟化物核壳结构发光材料及制备方法。该氟化物一维核壳结构发光材料表达式为:Ag@SiO2@RF3 : Ln3+(R=Y,Gd,Ln=Eu, Tb, Er/Yb),直径为80-120nm,壳层厚度可控在15-60nm。本发明首先采用乙二醇法制备出的Ag纳米线为核,以正硅酸乙酯为硅源将Ag纳米线包覆上SiO2层,再加入稀土氟化物进行最外层的包覆。本发明制备方法简单易行,原料易得,成本低且无毒。


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