| 申请日期 | 2024-11-27 | 申请号 | CN201310225367.9 |
| 公开（公告）号 | CN103255369A | 公开（公告）日 | 2013-08-21 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 上海超导科技股份有限公司 | ||
| 简介 | 一种金属基带上适用于IBAD-MgO生长的简化阻挡层及其制备方法，该简化阻挡层设置在金属基带上，为单一YAlO阻挡层，采用多通道脉冲激光镀膜技术或者多通道磁控溅射技术来制备该单一YAlO阻挡层。本发明制备得到具有光滑表面、表面颗粒大小均匀、粗糙度低、结合力强的YAlO阻挡层，YAlO阻挡层既能阻挡金属基带的原子扩散到其它层，降低金属基带的粗糙度，又能作为IBAD-MgO层的形核层。YAlO阻挡层的表面粗糙度小于2纳米，在其上制备得到的IBAD-MgO层的面内织构度达到7°以下，适合于在其上外延生长高性能的稀土氧化物超导层。本发明减少了IBAD-MgO用阻挡层的层数，实现制造工艺的简单化、快速化和低成本化，具有高的稳定性，重复性和可靠性，适合于产业化生产，在工业上有较好应用前景。 | ||
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