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以Zn位及O位缺陷为发光中心的绿色长余辉发光材料 发明授权

2022-06-04 3140 481K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN201710132381.2
公开(公告)号 CN106905962B 公开(公告)日 2019-06-18
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 闽南师范大学
简介 本发明公开了一种以Zn位及O位缺陷为发光中心的新型绿色长余辉发光材料及其制备方法。该发光材料的化学表达式为Zn1‑δAl2O4‑δ,其中δ为0.001~0.09,其是采用燃烧法结合高温还原气氛煅烧制得。本发明绿色长余辉发光材料经灯光照射15 min后,可在黑暗中持续发绿光5 h以上,稳定好,且其以材料内部制造的Zn位及O位为缺陷作为发光中心,不需要掺杂传统的稀土离子或过渡金属离子,材料成本低。


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