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高纯度镧、高纯度镧所构成之溅镀靶及高纯度镧作为主成分之金属闸膜 发明授权

2022-07-19 2150 816K 0

专利信息

申请日期 2024-11-27 申请号 TW097142478
公开(公告)号 TWI418638B 公开(公告)日 2013-12-11
公开国别 TW 申请人省市代码 全国
申请人 JX日鑛日石金属股份有限公司;
简介 一种高纯度镧,其特徵在於:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下;以及一种高纯度镧,其特徵在於:稀土元素及气体成分除外之纯度在4N以上,镧中之铝、铁及铜的含量分别在100wtppm以下,并且氧含量在1500wtppm以下,硷金属及硷土金属之各元素的含量分别在1wtppm以下,除上述以外之过渡金属及高熔点金属之各元素的含量分别在10wtppm以下,放射性元素的含量分别在10wtppb以下。本发明之课题,在於提供一种可有效率且稳定地提供高纯度镧、高纯度材料镧所构成之溅镀靶、及高纯度材料镧作为主成分之金属闸用薄膜的技术。


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