| 申请日期 | 2024-11-27 | 申请号 | CN201280021193.8 |
| 公开（公告）号 | CN103502511A | 公开（公告）日 | 2014-01-08 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 吉坤日矿日石金属株式会社 | ||
| 简介 | 一种高纯度镧，其特征在于，除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上，α射线计数为0.001cph/cm2以下。一种高纯度镧的制造方法，其特征在于，将除气体成分以外的纯度为4N以下的粗镧金属的原料在450～700℃的浴温下进行熔盐电解而得到镧结晶，接着，将该镧结晶进行脱盐处理后进行电子束熔炼而将挥发性物质除去，使除稀土元素和气体成分以外的纯度为5N以上且使α射线计数为0.001cph/cm2以下。本发明的课题在于提供能够有效且稳定地提供低α射线的高纯度镧、包含高纯度材料镧的溅射靶及以高纯度材料镧为主要成分的金属栅极用薄膜的技术。 | ||
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