| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201310322090.1 |
| 公开（公告）号 | CN103409140B | 公开（公告）日 | 2015-03-04 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华中科技大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种用磁场增强稀土发光材料发光效率的方法，包括以下步骤：S1：选取激发波长；S2：将样品放入磁体中，用步骤S1中选取的激发波长的光激发样品发光，在4.2～265K范围内调节样品温度使其恒定，使磁体的磁场强度连续变化，得到样品发光光强随磁场强度的变化关系；S3：得到样品的发光光强较未施加磁场情况下增加时对应的磁场强度范围R；以及S4：将样品放入磁场强度在R内的连续变化磁场或稳态磁场中，以增强稀土发光材料的发光效率。本发明的方法能效提高样品的发光效率，可重复性好，在发光器件特别是激光晶体中有很重要的实用价值。 | ||
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