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高纯度镧的制造方法、高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅膜 发明授权

2022-07-18 2040 3217K 0

专利信息

申请日期 2024-11-27 申请号 CN201180055511.8
公开(公告)号 CN103221560B 公开(公告)日 2014-09-24
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 吉坤日矿日石金属株式会社
简介 一种除了镧以外的稀土元素和气体成分以外具有4N以上的纯度的高纯度镧的制造方法,其特征在于,利用蒸馏钙将除了镧以外的稀土元素和气体成分以外的纯度为4N以上的氟化镧原料还原而制作纯度4N以上的镧,并进行电子束熔炼而除去挥发性物质。所述高纯度镧的制造方法,其特征在于,将Al、Fe、Cu各自调节为10重量ppm以下。所述高纯度镧的制造方法,其特征在于,将气体成分以总量计调节为1000重量ppm以下。本发明的课题在于提供能够高效且稳定地提供高纯度镧、包含高纯度镧的溅射靶和以高纯度镧作为主要成分的金属栅用薄膜的技术。


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