| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN202210098855.7 |
| 公开（公告）号 | CN114436655A | 公开（公告）日 | 2022-05-06 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 北京科技大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及一种稀土镍基氧化物电子相变材料强度的复合改性方法，属于金属功能半导体氧化物、敏感电阻材料与器件、电子陶瓷等领域。本发明通过引入与稀土镍基氧化物可共格烧结的复合相技术，抑制稀土镍基氧化物在周期性热场触发金属绝缘体相变过程中由电子相变所引起的结构变化，且与此同时改善晶界、晶粒状态并稳定稀土镍基氧化物亚稳态物相，从而实现对稀土镍基氧化物陶瓷材料的力学特性、电学稳定性的改善与增强。利用本技术所制备的稀土镍基氧化物复合陶瓷材料可进一步制备成热敏、压力敏感等敏感电阻器件，并实现大幅提高器件电子相变功能特性的抗疲劳、抗热冲击性等力学特性。 | ||
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