| 申请日期 | 2024-11-27 | 申请号 | CN201410488921.7 |
| 公开（公告）号 | CN104218096A | 公开（公告）日 | 2014-12-17 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 提供一种钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜及金属氧化物薄膜晶体管，以钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜作为有源层。钙钛矿结构的无机金属氧化物的化学表达式为MxA1-xBO3，其中0.001≤x≤0.5，A是Ca、Sr或Ba中的至少一种，B是Ti或Sn中的一种，M是Sc、Y、稀土元素、Al或In中的至少一种，其由多个具有钙钛矿结构的晶粒构成，晶粒大小为2～900nm。钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜的厚度为10nm～500nm。钙钛矿结构的无机金属氧化物半导体薄膜作为有源层具有电子迁移率高、所制备的金属氧化物薄膜晶体管的光稳定性好、亚阈值摆幅较低，且制备工艺简单、成本低廉。 | ||
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