| 申请日期 | 2024-11-26 | 申请号 | CN201410657671.5 |
| 公开（公告）号 | CN104530115A | 公开（公告）日 | 2015-04-22 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 河北工业大学 | ||
| 简介 | 本发明为一种以TpySi为补角体制备的笼型低聚倍半硅氧烷及其稀土发光材料。本发明以1, 3, 5, 7, 9, 11, 14-七异丁基三环[7.3.3.15, 11]七硅氧烷-内-3, 7, 14-三醇为基体，α—噻吩甲酰基三氟丙酮硅烷化衍生物、二联吡啶硅烷化衍生物以及三联吡啶硅烷化衍生物为补角体，以补角的形式与基体反应，形成完整的新型笼型低聚倍半硅氧烷。再将其新型笼型低聚倍半硅氧烷与稀土元素结合，形成笼型低聚倍半硅氧烷(POSS)/稀土离子发光材料。本发明所得稀土化合物/低聚倍半硅氧烷材料发光色彩丰富，色纯度高，荧光寿命长(0.5-1.5ms)，量子效率高(20)，热稳定性(350℃)和光稳定性强，是一种很有价值的光学材料，可以应用在显示显像、新光源、X射线增光屏等领域。 | ||
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