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一种稀土离子掺杂的卤氧化铋发光材料及其制备方法 发明授权

2022-07-12 1810 530K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN201310385611.8
公开(公告)号 CN103421511B 公开(公告)日 2015-05-20
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 昆明理工大学
简介 本发明提供一种稀土离子掺杂的卤氧化铋发光材料及其制备方法,该材料由化学式Bi1-x-yEuxReyOM组成,其中x=0.001~0.5,y=0~0.5,M为Cl、Br、I中的任意一种或几种;Re为Tb、Ce、Nd、Dy、Sm、Pr、Lu、Er、Tm、Yb、Gd、Ho、La中的任意一种或几种。称取硝酸铋、稀土硝酸盐、卤化钾,配制成溶液;然后热处理得到产物料,再洗涤、热处理,即得到化学式为Bi1-x-yEuxReyOM的稀土离子掺杂的卤氧化铋发光材料。本发明的材料能有效地实现掺杂,具有很好的发光性质,对紫外和可见波段光吸收和激发效率高,且制备方法简单、容易控制、原材料成本低,高温固相法合成温度低。


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