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GROUP 3 METAL PRECUSOR COMPOUND AND PREPARING METHOD OF THIN FILM CONTAINING METAL USING THE SAME 发明申请

2022-05-31 4540 617K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 KR1020200143680
公开(公告)号 KR1020220058191A 公开(公告)日 2022-05-09
公开国别 KR 申请人省市代码 全国
申请人 솔브레인 주식회사
简介 The present invention provides a structure in which n cyclopentadienyl (Cp) ligand and m linear amine ligand (1≤n≤2, 1≤ m≤2, n + m = 3) are coordinated to the central metal, wherein the central metal is a rare earth element or ruthenium (Lu) Group 3 metal precursor compound and a metal-containing thin film using the same It has the effect.


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