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GROUP 3 METAL PRECUSOR AND THIN FILM CONTAINING METAL 发明申请

2022-05-31 4910 477K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 KR1020200143679
公开(公告)号 KR1020220058190A 公开(公告)日 2022-05-09
公开国别 KR 申请人省市代码 全国
申请人 솔브레인 주식회사
简介 The present invention provides a structure in which n cyclopentadienyl (Cp) ligand and m linear imine ligand (1≤ n ≤ 2, 1≤ m ≤ 2, n + m = 3) are coordinated to the central metal, characterized in that the central metal is a rare earth element or ruthenium (Lu) Group 3 metal precursor and thereby has the effect of providing a metal-containing thin film.


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