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一种在导电金属基底上制备超导材料的方法 发明申请

2022-07-12 3120 311K 0

专利信息

申请日期 2024-11-28 申请号 CN201510399374.X
公开(公告)号 CN104947084A 公开(公告)日 2015-09-30
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 成都点石创想科技有限公司
简介 本发明公开了一种在导电金属基底上制备超导材料的方法,包括以下具体工艺步骤:1)从放线轴以连续的方式分送基底;2)提供至少一种化学沉积材料到位于所述基底上方的分配头;3)从被从所述分配头导向所述基底的至少一面的反应物气体层流执行化学气相沉积工艺;4)用紫外或可见光源将所述基底加热到足以允许沉积超导材料的温度,其中所述紫外或可见光源使用反射器将光导向正位于所述分配头下面且位于所述基底的表面上方的反应区上;所述超导材料选自:Nb3Sn、V3Ga、Nb-1Zr、三元合金、铜氧化物和稀土金属氧化物中的一种或多种;在金属条或带或线上以连续的方式形成的超导体,从而形成连续的很长的超导体条或带或线。


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