| 申请日期 | 2024-11-27 | 申请号 | CN202210084459.9 |
| 公开（公告）号 | CN114464444A | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 浙江英洛华磁业有限公司 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种提高R‑T‑B磁体扩散性能的晶界扩散方法：在R‑T‑B磁体基体表面覆盖扩散源，所述扩散源为重稀土，扩散源的质量为磁体基体质量的0.2％～4％；将覆盖有扩散源的磁体进行晶界扩散处理，扩散温度在800℃～1000℃，扩散时间1h～48h，在扩散的前1～3h内，调节绝对真空度在1.0*10‑3～4.6*10‑3Pa之间的高真空；之后将绝对真空度调节为3.6kpa与7.6kpa之间的低真空，晶界扩散后，冷却至室温再升温进行回火处理，制得晶界扩散后的R‑T‑B磁体。本发明可以提高磁体的Hcj且减少剩磁降低量。 | ||
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