| 申请日期 | 2024-11-28 | 申请号 | CN201410108149.1 |
| 公开（公告）号 | CN103922749B | 公开（公告）日 | 2015-11-25 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 西安交通大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种低金属离子残留的多孔氮化硅陶瓷的制备方法，解决现有液相烧结制备多孔氮化硅陶瓷时，因大量烧结助剂的加入，而使得大量玻璃相和金属离子残留在晶界中导致材料的高温性能和电性能下降等问题；该方法包括：采用氮化硅粉为原料，以高温具有强烈挥发性的金属氧化物Li2O，配合少量的稀土氧化物作为烧结助剂，在氮气氛下无压烧结，烧结温度为1600℃，并利用高温Li离子及含Li液相的挥发，在1500℃的真空热处理或1800℃高温热处理中将Li离子和含Li液相去除；本发明可以制备出气孔率介于50-60%之间，抗弯强度为65-150MPa，其中Li含量低于0.03%, 稀土离子含量低于0.3%的低金属离子残留的高性能多孔氮化硅陶瓷。 | ||
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