| 申请日期 | 2024-11-28 | 申请号 | CN201510379122.0 |
| 公开（公告）号 | CN105118854A | 公开（公告）日 | 2015-12-02 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 京东方科技集团股份有限公司; 华南理工大学 | ||
| 简介 | 本发明公开了一种金属氧化物半导体薄膜、薄膜晶体管、制备方法及装置，属于平板显示领域。所述金属氧化物半导体薄膜的成分为金属氧化物；所述金属氧化物包括第一金属元素、第二金属元素和第三金属元素；所述第一金属元素为钪元素、钇元素、稀土元素、铝元素和铟元素中的至少一者；所述第二金属元素为钙元素、锶元素和钡元素中的至少一者；所述第三金属元素为钛元素和锡元素中的至少一者。本发明能够提高薄膜晶体管的迁移率。 | ||
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