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用于工艺环上的稀土氧化物基薄膜涂层的离子辅助沉积 发明申请

2022-07-12 2510 2531K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN201480040772.6
公开(公告)号 CN105378900A 公开(公告)日 2016-03-02
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 应用材料公司
简介 一种制造制品的方法包括提供用于蚀刻反应器的环。随后,执行离子辅助沉积(IAD)以在环的至少一个表面上沉积保护层,其中,保护层是抗等离子体的稀土氧化物膜,所述抗等离子体的稀土氧化物膜具有小于300微米的厚度以及小于6微英寸的平均表面粗糙度。


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