| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN201580001478.9 |
| 公开（公告）号 | CN105408987A | 公开（公告）日 | 2016-03-16 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 应用材料公司 | ||
| 简介 | 制造制品的方法包含以下步骤：提供制品，所述制品诸如，用于蚀刻反应器的腔室部件。执行等离子体喷涂沉积工艺以在腔室部件的至少一个表面上方沉积第一保护层。所述第一保护层是具有大于约50微米的厚度以及多个裂痕与孔隙的抗等离子体的陶瓷。随后执行离子辅助沉积(IAD)工艺以在第一保护层上方沉积第二保护层。所述第二保护层是具有小于50微米的厚度以及小于1％的孔隙度的抗等离子体的稀土氧化物。第二保护层密封第一保护层的所述多个裂痕与孔隙。 | ||
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