| 申请日期 | 2024-11-27 | 申请号 | CN202011604234.9 |
| 公开（公告）号 | CN112843481B | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南师范大学 | ||
| 简介 | 本发明涉及新材料技术领域，涉及多晶半导体材料、智能穿戴技术领域，具体涉及一种热压光子多晶半导体的制备方法及应用。一种热压光子多晶半导体的制备方法，至少包括以下步骤：(1)将固体无机物和稀土盐类化合物混合，并进行烧制，得到烧制混合物A，将烧制混合物A转移至反应釜内反应一段时间后，进行冷却，再研磨得到粉末材料B；(2)将载体进行加热，再加入表面处理剂和粉末材料B，并进行搅拌，之后送入挤出机中进行挤出造粒，干燥，即得到热压光子多晶半导体。本发明中通过合理设置烧制温度、反应温度和反应压力，使通过本技术方案中的方法制备的热压光子多晶半导体材料成品率高，力学强度较好，可应用于智能穿戴用品中。 | ||
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