| 申请日期 | 2024-11-27 | 申请号 | CN202011344363.9 |
| 公开（公告）号 | CN112467002B | 公开（公告）日 | 2022-05-10 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 华南理工大学 | ||
| 简介 | 一种氧化物发光场效应晶体管，设置有基板、栅极、绝缘层、有源层、源极和漏极，以掺有稀土元素的氧化物半导体材料作为有源层。所述稀土元素为Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm或者Yb中的至少一种。本发明的氧化物发光场效应晶体管，在具有加栅压和漏压时能够实现紫外、可见和红外区域的电致发光。而且本发明的氧化物发光场效应晶体管因为稀土元素的掺杂，从而具有迁移率较高，工艺温度低，良好的电学性能及良好的光学透过性等优势。 | ||
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