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制造稀土磁体的方法 发明申请

2022-07-12 1440 1464K 0

专利信息

申请日期 2024-11-17 申请号 CN201480068994.9
公开(公告)号 CN105830178A 公开(公告)日 2016-08-03
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 丰田自动车株式会社
简介 方法包括:制造由(Rl)x(Rh)yTzBsMt表示且具有晶界相的烧结体;由烧结体制造稀土磁体前体;和在450℃至700℃下在稀土磁体前体上进行热处理以使包含轻稀土元素和过渡金属元素、Al、In、Zn或Ga的改性合金熔体扩散和浸透到晶界相中。Rl表示轻稀土元素。Rh表示Dy和Tb。T表示含有Fe、Ni和Co中的至少一种的过渡金属。B表示硼。M表示Ga、Al或Cu。x、y、z、s和t表示Rl、Rh、T、B和M的质量百分数。确立以下表达式:27≤x≤44,0≤y≤10,z=100 x y s t,0.75≤s≤3.4,0≤t≤3。改性合金的浸透量为0质量%至5质量%。


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