| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | CN201310108069.1 |
| 公开（公告）号 | CN103357882B | 公开（公告）日 | 2016-08-24 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 户田工业株式会社 | ||
| 简介 | 本发明涉及R T B系稀土磁体粉末的制造方法，其利用HDDR处理得到R T B系稀土磁体粉末，该R T B系稀土磁体粉末的制造方法中，原料合金组成是R量为12.5at.％以上、14.3at.％以下，B量为4.5at.％以上、7.5at.％以下，Co量为10at.％以下，在不活泼气氛或真空气氛中将原料合金粉末升温到770℃以上、820℃以下的温度范围后，将气氛切换到含氢的气体气氛，实施以上述温度范围进行保持的第一阶段HD工序，接着，再升温到830℃以上、870℃以下的温度范围，实施以含氢的气体气氛进行保持的第二阶段HD工序。 | ||
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