| 申请日期 | 2024-11-17 | 申请号 | TW101145109 |
| 公开（公告）号 | TWI559541B | 公开（公告）日 | 2016-11-21 |
| 公开国别 | TW | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 万国商业机器公司 | ||
| 简介 | 本发明说明揭露一介电模板(template)层沉积於一基板上，透过施以一图案化遮罩层的非等向性蚀刻以形成线沟槽於所述介电模板层的内部该图案化遮罩层可为一图案化光阻层，或藉由其他影像转移法所形成的图案化硬遮罩层透过选择性稀土氧化物磊晶制程於各个线沟槽的较低部分填以磊晶稀土氧化物材料，透过选择性半导体磊晶制程於各个线沟槽的较高部分填以磊晶半导体材料使介电模板层凹陷以形成一介电材料层，其提供於各鳍结构之间的侧向电性绝缘，各个鳍结构包含由一稀土氧化物鳍部分和一半导体鳍部分构成的堆叠 | ||
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