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一种高性能R-T-B永磁材料、及其扩散方法和扩散源 发明申请

2022-05-31 2150 597K 0

专利信息

申请日期 2024-11-27 申请号 CN202210050181.3
公开(公告)号 CN114496541A 公开(公告)日 2022-05-13
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 中南大学; 福建省长汀金龙稀土有限公司; 厦门钨业股份有限公司
简介 本发明公开了一种扩散源,包括稀土卤化物和碱金属卤化物;在温度为700℃‑850℃的条件下,所述扩散源的液相比例为10%~40%。本发明采用稀土卤化物‑碱金属卤化物的熔盐体系作为扩散源材料,可在晶界扩散过程中形成稳定的定量液相的高效扩散源,液固复合物相保障了磁体上下表面扩散源均匀且良好的附着作用,重稀土元素沿磁体晶界由表层向内部扩散渗透,对磁体内易反磁化区域进行精准磁硬化,且由于晶界扩散温度较低,重稀土原子向主相晶粒内部的过度扩散得到有效抑制,在不牺牲材料剩磁的前提下,磁体矫顽力得到大幅提升。本发明还公开了一种高性能R‑T‑B永磁材料,及其扩散方法。


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