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一种含稀土的多面体低聚倍半硅氧烷基高分子复合发光材料的合成方法 发明授权

2022-07-12 4330 914K 0

专利信息

申请日期 2024-11-26 申请号 CN201410403041.5
公开(公告)号 CN104193860B 公开(公告)日 2017-01-11
公开国别 CN 申请人省市代码 全国
申请人 上海理工大学
简介 本发明公开一种含稀土的多面体低聚倍半硅氧烷基高分子复合发光材料的合成方法,首先将利用配位化学原理将经有机配体改性的笼状结构的多面体低聚倍半硅氧烷通过溶胶凝胶的方法与第一配体稀土离子配位,然后再引入可与稀土离子配位的聚甲基丙烯酸甲酯作为第二配体进行配位,最终得到具有良好的荧光性能以及热稳定性的含稀土的笼状结构的多面体低聚倍半硅氧烷基高分子复合发光材料。该合成方法实验条件温和,整个制备体系容易构建,操作简便,条件易控,所得产品质量稳定。


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