| 申请日期 | 2024-11-29 | 申请号 | CN201710119620.0 |
| 公开（公告）号 | CN107154350A | 公开（公告）日 | 2017-09-12 |
| 公开国别 | CN | 申请人省市代码 | 全国 |
| 申请人 | 朗姆研究公司 | ||
| 简介 | 本发明涉及在半导体衬底上的稀土金属表面活化等离子体掺杂。本发明提供了使用沉积含稀土金属膜(例如含钇膜)来掺杂半导体衬底的方法和退火技术。使用气体、液体或固体前体在没有偏置的情况下沉积含稀土金属的膜，并且可以保形地沉积。一些实施方式可以涉及使用等离子体的沉积。衬底可在小于约500℃的温度下退火。 | ||
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